Στόχος τιτανίου Gr1 Gr2, καθαρή υψηλή πυκνότητα στόχων επιμετάλλωσης δίσκων τιτανίου

υψηλός - ψεκάζοντας στόχος δίσκων τιτανίου ποιοτικού καθαρός τιτανίου Gr1 Gr2

Το υλικό στόχων είναι το υλικό στόχων βομβαρδίζω από χρεωμένα τα μεγάλη ταχύτητα μόρια. Υπάρχουν μέταλλα, κράματα, οξείδια, τα κ.λπ. αντικαθιστούν τα διαφορετικά υλικά στόχων (όπως το αργίλιο, ο χαλκός, το ανοξείδωτο, το τιτάνιο, οι στόχοι νικελίου, κ.λπ.), μπορείτε να πάρετε τα διαφορετικά συστήματα ταινιών (όπως η έξοχος-σκληρή, wear-resistant, αντιδιαβρωτική ταινία κραμάτων, κ.λπ.).

(1) στόχοι μετάλλων: στόχος νικελίου, Νι, στόχος τιτανίου, Tj, στόχος ψευδάργυρου, ZN, στόχος χρωμίου, χρώμιο, στόχος μαγνήσιου, MG, στόχος νιόβιου, NB, στόχος κασσίτερου, Sn, στόχος αργιλίου, Al, στόχος ίνδιου, μέσα, στόχος σιδήρου, Φε, στόχος αργιλίου ζιρκονίου, ZrAl, στόχος αργιλίου τιτανίου, TiAl, στόχος ζιρκονίου, Zr, στόχος πυριτίου αργιλίου, AlSi, στόχος πυριτίου, Si, $cu στόχων χαλκού, στόχος Τ, α, στόχος γερμανίου, Γερμανία, ασημένιος στόχος, άργυρος, στόχος κοβαλτίου, κοβάλτιο, χρυσός στόχος, Au, στόχος γαδολίνιου, GD, lanthanum στόχος, Λα, yttrium στόχος τανταλίου, Υ, στόχος δημήτριου, CE, στόχος βολφραμίου, W, στόχος ανοξείδωτου, στόχος νικέλιο-χρωμίου, NiCr, hafnium στόχος, HF, στόχος μολυβδαίνιου, Mo, στόχος σίδηρος-νικελίου, FeNi, στόχος βολφραμίου, W, κ.λπ.

(2) κεραμικοί στόχοι: Στόχος ITO, στόχος οξειδίων μαγνήσιου, στόχος οξειδίων σιδήρου, στόχος νιτριδίων πυριτίου, στόχος καρβιδίου του πυριτίου, στόχος νιτριδίων τιτανίου, στόχος οξειδίων χρωμίου, στόχος οξειδίων ψευδάργυρου, στόχος σουλφιδίου ψευδάργυρου, στόχος διοξειδίου πυριτίου, ένας στόχος οξειδίων πυριτίου, στόχος οξειδίων δημήτριου, στόχος διοξειδίου ζιρκονίου, pentoxide νιόβιου στόχος, στόχος διοξειδίου τιτανίου, στόχος διοξειδίου ζιρκονίου, hafnium στόχος διοξειδίου, στόχος diboride τιτανίου, στόχος diboride ζιρκονίου, στόχος τριοξειδίου βολφραμίου, στόχος οξειδίων αργιλίου, οξείδιο τανταλίου, pentoxide νιόβιου στόχος, στόχος φθοριδίου μαγνήσιου, yttrium στόχος φθοριδίου, στόχος σεληνιδίου ψευδάργυρου, στόχος νιτριδίων αργιλίου, στόχος νιτριδίων πυριτίου, στόχος νιτριδίων βορίου, στόχος νιτριδίων τιτανίου, πυρίτιο στόχος καρβιδίου, niobate λίθιου στόχος, titanate πρασεοδύμιου στόχος, titanate βάριου στόχος, lanthanum titanate στόχος, στόχος οξειδίων νικελίου, ψεκάζοντας στόχος, κ.λπ.

2. Οι κύριες απαιτήσεις απόδοσης του στόχου

(1) αγνότητα

Η αγνότητα είναι ένας από τους κύριους δείκτες απόδοσης του στόχου, επειδή η αγνότητα του στόχου έχει μια μεγάλη επιρροή στην απόδοση της ταινίας. Εντούτοις, στις πρακτικές εφαρμογές, οι απαιτήσεις αγνότητας των υλικών στόχων είναι επίσης διαφορετικές. Παραδείγματος χάριν, με τη γρήγορη ανάπτυξη της βιομηχανίας μικροηλεκτρονικής, το μέγεθος των γκοφρετών πυριτίου έχει αυξηθεί από 6 «, 8» σε 12», και το πλάτος καλωδίωσης έχει μειωθεί από 0.5um σε 0.25um, 0.18um ή ακόμα και 0.13um, η προηγούμενη αγνότητα στόχων 99,995% μπορεί να καλύψει τις τεχνικές απαιτήσεις 0.35umIC, και η προετοιμασία των γραμμών 0.18um απαιτεί 99,999% ή ακόμα και 99.9999% για την αγνότητα του στόχου.

(2) περιεκτικότητα σε ακαθαρσίες

Οι ακαθαρσίες στο στερεό στόχων και το οξυγόνο και το υδρατμό στους πόρους είναι οι κύριες πηγές ρύπανσης για την κατατεθειμένη ταινία. Οι διαφορετικοί στόχοι έχουν τις διαφορετικές απαιτήσεις για το διαφορετικό περιεχόμενο ακαθαρσιών. Παραδείγματος χάριν, οι καθαροί στόχοι αργιλίου και κραμάτων αργιλίου που χρησιμοποιούνται στη βιομηχανία ημιαγωγών έχουν τις ειδικές απαιτήσεις για το αλκαλιμεταλλικό ικανοποιημένο και ραδιενεργό περιεχόμενο στοιχείων.

(3) πυκνότητα

Προκειμένου να μειωθούν οι πόροι στα στερεά του στόχου και να βελτιωθεί η απόδοση της ψεκασμένης ταινίας, ο στόχος απαιτείται συνήθως για να έχει μια υψηλότερη πυκνότητα. Η πυκνότητα του στόχου όχι μόνο έχει επιπτώσεις στο ποσοστό επιμετάλλωσης, αλλά και έχει επιπτώσεις στις ηλεκτρικές και οπτικές ιδιότητες της ταινίας. Όσο υψηλότερη η πυκνότητα στόχων, τόσο καλύτερη η απόδοση ταινιών. Επιπλέον, η αύξηση της πυκνότητας και της δύναμης του στόχου επιτρέπει στο στόχο για να αντισταθεί καλύτερα τη θερμική πίεση κατά τη διάρκεια της επιμετάλλωσης. Η πυκνότητα είναι επίσης ένας από τους βασικούς δείκτες απόδοσης του στόχου.

(4) διανομή μεγέθους σιταριού και μεγέθους σιταριού

Το υλικό στόχων είναι συνήθως πολυκρυσταλλικό, και το μέγεθος σιταριού μπορεί να είναι σε παραγγελία των μικρών στα χιλιοστόμετρα. Για το ίδιο υλικό στόχων, το ποσοστό επιμετάλλωσης του στόχου με τα λεπτά σιτάρια είναι γρηγορότερο από αυτό του στόχου με τα χονδροειδή σιτάρια το πάχος της ταινίας που κατατίθεται με την επιμετάλλωση του στόχου με μια μικρή διαφορά στο μέγεθος σιταριού (ομοιόμορφη διανομή) είναι πιό ομοιόμορφο.

3. Υλικό

TA0, TA1, TA2, TA9, TA10, ZR2, ZR0, GR5, GR2, GR1, TC11, TC6, TC4, TC3, TC2, TC1

4. Σκοπός

Χρησιμοποιείται ευρέως στα διακοσμητικά επιστρώματα, τα wear-resistant επιστρώματα, τα CD και VCDs στη βιομηχανία ηλεκτρονικής, καθώς επίσης και τα διάφορα επιστρώματα μαγνητικών δίσκων.

Ταινίες βολφράμιο-τιτανίου (W-Tj) και βολφράμιο-τιτάνιο (W-Tj) - οι βασισμένες ταινίες κραμάτων είναι υψηλής θερμοκρασίας ταινίες κραμάτων με μια σειρά αναντικατάστατων άριστων ιδιοτήτων. Το βολφράμιο έχει τις ιδιότητες όπως το υψηλό σημείο τήξης, ο υψηλής αντοχής και χαμηλός συντελεστής της θερμικής επέκτασης. Το κράμα W/Tj έχει το χαμηλό συντελεστή αντίστασης, την καλές θερμικές σταθερότητα και την αντίσταση οξείδωσης. Όπως οι διάφορες συσκευές απαιτήστε το μέταλλο συνδέοντας με καλώδιο ότι παιχνίδια που ένας αγώγιμος ρόλος, όπως το Al, το $cu, και ο άργυρος έχουν χρησιμοποιηθεί ευρέως και έχουν ερευνηθεί. Εντούτοις, το ίδιο το μέταλλο καλωδίωσης είναι εύκολα οξειδωμένο, αντιδρά με το περιβάλλον περιβάλλον, και έχει τη φτωχή προσκόλληση στο διηλεκτρικό στρώμα. Είναι εύκολο να διασκορπίσει στα υλικά υποστρωμάτων των συσκευών όπως το Si και SiO2, και θα διαμορφώσει το μέταλλο και το Si σε μια χαμηλότερη θερμοκρασία. Οι ενώσεις, που ενεργούν ως ακαθαρσίες, υποβιβάζουν πολύ την απόδοση της συσκευής. Το κράμα W-Tj είναι εύκολο να χρησιμοποιηθεί ως εμπόδιο διάχυσης καλωδίωσης λόγω των σταθερών θερμομηχανικών ιδιοτήτων, χαμηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων, υψηλή αντίσταση διάβρωσης και χημική σταθερότητα, ιδιαίτερα κατάλληλη για τη χρήση στα υψηλής τάσης και υψηλής θερμοκρασίας περιβάλλοντα.

2.Image

3.Factory & πιστοποιητικό

4.Package & παράδοση

συσκευασία:

Τυλίξτε το υλικό στόχων Tj με το βαμβάκι μαργαριταριών και το βάλτε σε ένα ξύλινο κιβώτιο. Η λογική μέθοδος συσκευασίας μας μπορεί να αποφύγει τα υλικά στόχων από τη σύγκρουση η μια με την άλλη κατά τη διάρκεια της μεταφοράς, και μπορεί επίσης να αποτρέψει τον αντίκτυπο των εξωτερικών αγαθών στο προϊόν, και να εξασφαλίσει ότι το προϊόν παραδίδεται μετά από την ακεραιότητα παράδοσης.

-1. Η σφραγισμένη συσκευασία, που τίθεται έπειτα στο χαρτοκιβώτιο CAS ή τυποποιημένη τυποποιημένη περίπτωση κοντραπλακέ.

-2.Using αποκλειστικό χαρτοκιβώτιο συνήθειας με το λογότυπο πελατών, κάθε μεμονωμένη συσκευασία, για να βοηθήσουν τις άμεσες πωλήσεις αγοραστών.

-Δεχτείτε την απαίτηση πελατών

Σιγουρευτείτε ότι κάθε συσκευασία είναι κατάλληλη για you.ensure όταν παίρνετε το κανένα αγαθών χαλασμένο.